BSC109N10NS3 G

物料型号：BSC109N10NS3G

器件简介： - 极低的栅极电荷，适用于高频应用 - 优化用于直流-直流转换 - N沟道，正常电平型 - 150°C工作温度 - 无铅引脚镀层，符合RoHS标准 - 根据IEC61249-2-21，无卤素

引脚分配：PG-TDSON-8封装，标记为109N10NS

参数特性： - 连续漏极电流：63A（25°C）/ 40A（100°C） - 脉冲漏极电流：252A（25°C） - 单脉冲雪崩能量：70mJ - 栅源电压：±20V - 功率耗散：78W - 工作和储存温度：-55°C至150°C

功能详解： - 热特性：结到外壳的热阻为1.5 K/W，最小尺寸下结到环境的热阻为62 K/W - 静态特性：漏源击穿电压100V，栅极阈值电压2.7V，零栅压漏源电流在25°C时为1mA时为0.01A

应用信息： - 适用于高频应用和直流-直流转换

封装信息： - PG-TDSON-8封装，具体尺寸和引脚布局在文档中有详细描述